MDD肖特基二極管和特定應(yīng)用有什么區(qū)別呢？MDD肖特基二極管在特定應(yīng)用里有什么影響呢？
根據(jù)熱電子發(fā)射模型，純肖特基勢壘呈現(xiàn)正向壓降，隨著勢壘高度的減小呈線性下降；而反向電流隨著勢壘高度的降低呈指數(shù)增長。因此，存在一個  勢壘高度，它可以  化特定應(yīng)用的正向和反向功耗總和。然而，與肖特基二極管用戶的討論表明，他們并不尋求正向和反向功耗的  值，而總是尋求正向壓降的  值。很少要求反向電流值。必須了解肖特基二極管是如何應(yīng)用的，才能客觀地選擇  合適的器件。
由于真正的肖特基二極管在換向后阻止反向電壓的延遲能力——隨著勢壘高度的增加而增長——，諧振電路對過大的反向電流（即大于換向關(guān)斷斜率乘以 LC 的平方根）、過大的反向電壓（即超過驅(qū)動反向電壓的兩倍）和陡峭的啟動、過大的 dv/dt（即大于驅(qū)動反向電壓除以 LC 的平方根）。隨著勢壘高度的增加，動態(tài)參數(shù)和開關(guān)損耗的過剩變得更加明顯。
由于實際肖特基二極管在換向后阻止反向電壓的延遲能力——隨著勢壘高度的增加而增長——，諧振電路對過大的反向電流作出反應(yīng)（即大于換向關(guān)斷斜率乘以 LC 的平方根）、過大的反向電壓（即大于驅(qū)動反向電壓的兩倍）和陡峭的啟動、過大的 dv/dt（即大于驅(qū)動反向電壓除以 LC 的平方根）。
隨著勢壘高度的增加，動態(tài)參數(shù)和開關(guān)損耗的過剩變得更加明顯。由于實際肖特基二極管在換向后阻止反向電壓的延遲能力——隨著勢壘高度的增加而增長——，諧振電路對過大的反向電流作出反應(yīng)（即大于換向關(guān)斷斜率乘以 LC 的平方根）、過大的反向電壓（即大于驅(qū)動反向電壓的兩倍）和陡峭的啟動、過大的 dv/dt（即大于驅(qū)動反向電壓除以 LC 的平方根）。隨著勢壘高度的增加，動態(tài)參數(shù)和開關(guān)損耗的過剩變得更加明顯。
過大的反向電壓（即大于驅(qū)動反向電壓的兩倍）和陡峭的啟動，過大的 dv/dt（即大于驅(qū)動反向電壓除以 LC 的平方根）。隨著勢壘高度的增加，動態(tài)參數(shù)和開關(guān)損耗的過剩變得更加明顯。過大的反向電壓（即大于驅(qū)動反向電壓的兩倍）和陡峭的啟動，過大的 dv/dt（即大于驅(qū)動反向電壓除以 LC 的平方根）。隨著勢壘高度的增加，動態(tài)參數(shù)和開關(guān)損耗的過剩變得更加明顯。
事實上，勢壘高度為 0.74 eV 的二極管的反向電流比勢壘高度為 0.86 eV 的二極管的反向電流高約 25 倍。超過一定限度，呈指數(shù)增長的反向電流（典型的低勢壘高度）變得不可接受。但是，這取決于相應(yīng)的應(yīng)用程序。