一、靜態(tài)測(cè)量
1. 正向壓降測(cè)量
正向壓降是肖特基二極管的重要特性之一。使用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量二極管在正向偏置下的壓降，可以判斷其是否符合規(guī)格。測(cè)量方法如下：
將萬(wàn)用表設(shè)置為二極管測(cè)量模式。
將紅表筆接二極管的陽(yáng)極，黑表筆接陰極。
讀取顯示的電壓值。肖特基二極管的正向壓降通常在0.2V到0.4V之間，高于或低于此范圍可能表明二極管損壞或規(guī)格不符。
2. 反向漏電流測(cè)量
反向漏電流是衡量肖特基二極管反向特性的重要參數(shù)。通過(guò)以下步驟測(cè)量反向漏電流：
將萬(wàn)用表設(shè)置為電流測(cè)量模式。
將萬(wàn)用表的紅表筆接二極管的陰極，黑表筆接陽(yáng)極。
在反向偏置下施加一定電壓，通常為二極管的最大反向工作電壓。
讀取萬(wàn)用表上的漏電流值。正常情況下，肖特基二極管的反向漏電流應(yīng)很小，若漏電流過(guò)大，可能表明二極管已損壞。
二、動(dòng)態(tài)測(cè)量
1. 開(kāi)關(guān)特性測(cè)試
肖特基二極管因其快速開(kāi)關(guān)特性而著稱，測(cè)試其開(kāi)關(guān)特性可以通過(guò)示波器和函數(shù)發(fā)生器實(shí)現(xiàn)：
使用函數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生一個(gè)方波信號(hào)，頻率設(shè)置為1MHz左右。
將方波信號(hào)輸入到肖特基二極管的陽(yáng)極，并通過(guò)負(fù)載電阻接地。
使用示波器探頭測(cè)量二極管兩端的電壓波形。
觀察波形的上升和下降時(shí)間。肖特基二極管的上升和下降時(shí)間應(yīng)非常短，通常在納秒級(jí)別。若時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，可能表明二極管存在問(wèn)題。
2. 開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量
開(kāi)關(guān)損耗是衡量肖特基二極管性能的重要參數(shù)之一，通常通過(guò)功率分析儀和示波器測(cè)量：
連接功率分析儀和示波器，測(cè)量二極管在不同頻率和電壓條件下的開(kāi)關(guān)損耗。
分析測(cè)量結(jié)果，開(kāi)關(guān)損耗應(yīng)較小，若損耗較大，可能影響電路的整體效率。
三、高頻特性測(cè)試
肖特基二極管廣泛應(yīng)用于高頻電路中，因此其高頻特性測(cè)試尤為重要。以下是幾種常見(jiàn)的高頻特性測(cè)試方法：
1. S參數(shù)測(cè)量
S參數(shù)（散射參數(shù)）是表征肖特基二極管高頻特性的關(guān)鍵參數(shù)。使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）可以測(cè)量S參數(shù)：
連接矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，將待測(cè)肖特基二極管連接到測(cè)試端口。
設(shè)置頻率范圍，通常在1GHz以上。
測(cè)量并記錄S11和S21參數(shù)。S11表示輸入反射系數(shù)，S21表示傳輸系數(shù)。
分析S參數(shù)，判斷肖特基二極管在高頻下的性能。
2. 阻抗頻率特性測(cè)量
阻抗頻率特性測(cè)量用于評(píng)估肖特基二極管在高頻下的阻抗變化情況：
使用阻抗分析儀，連接待測(cè)肖特基二極管。
掃描頻率范圍，記錄阻抗隨頻率的變化。
分析結(jié)果，確保二極管在高頻下的阻抗特性符合設(shè)計(jì)要求。
肖特基二極管的檢查方法多種多樣，涵蓋靜態(tài)測(cè)量、動(dòng)態(tài)測(cè)量和高頻特性測(cè)試。通過(guò)全面的檢查，可以確保肖特基二極管在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和性能表現(xiàn)。
