根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù),2020年全球功率MOSFET的市場規(guī)模為81億美元,在新能源汽車,工業(yè)控制、5G通訊等市場需求的加持下,全球增速將保持高速增長,預測在2025年將達到118.47億美元。
MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應管,是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應晶體管。MOSFET 器件具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點,是功率半導體的基礎器件。
從汽車電子的應用場景看,MOSFET是汽車電子中的核心元件,汽車引擎、驅動系統(tǒng)中的變速箱控制器以及制動、轉向控制,都離不開MOSFET。相比較于燃油汽車而言,新能源汽車的智能化、電動化的發(fā)展,加快了市場對MOSFET需求的進程,比如DC/DC的高壓MOSFET、OBC 中的超級結MOSFET等需求激增,以滿足實際運行中,對工作電流和電壓的更高要求。
MDD辰達半導體憑借多年的行業(yè)經(jīng)驗與技術積累,在夯實二極管、三極管、整流橋的產(chǎn)品基礎上,積極布局MOSFET系列產(chǎn)品,從產(chǎn)品規(guī)劃、質量、工藝等方面取得重大突破。目前MDD面向汽車電子、電源、工控、消費電子等應用場景,推出三種工藝MOSFET系列產(chǎn)品,為客戶提供高可靠、高性能的解決方案。
Planar MOSFET
采用業(yè)界最新的平面技術設計制造而成,具有低導通損耗,高雪崩能量,高可靠性,更好的EMI兼容性等特點。高壓平面MOSFET產(chǎn)品涵蓋500V-700V系列電壓范圍,如MDD7N65D,MDD20N50P,MDD12N65F等可滿足各種電源系統(tǒng)的需求(主要照明驅動、適配器)。
SGT MOSFET
采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設計及工藝制造技術,全面提升了器件的開關特性和導通特性,同時降低了器件的特征導通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋30V~150V,如MDDG04R1P9G,MDDG10R08P, MDDG10R08D可廣泛應用于電機驅動、同步整流等領域中。