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功率放大器電路中的三極管和MOS管,究竟有什么區(qū)別?

MDD三極管和MOS管的區(qū)別是什么呢?MDD三極管和MOS管在電路中有什么影響呢?
三極管:全稱應(yīng)為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點開關(guān)。
場效應(yīng)管(MOS管):是場效應(yīng)管的一種,是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導體器件。
二者具有以下區(qū)別:
1、從結(jié)構(gòu)來講,MOS管有一個金屬柵極、一個絕緣層和一個半導體底座,而三極管有一個集電極、一個基極和一個發(fā)射極。MOS管是一個四極器件,而三極管是一個三極器件;
2、從控制方式來講,MOS管通過在柵極和底座之間施加電場來控制電流, 而三極管則是通過在基極和發(fā)射極之間施加電流來控制電流;
3、從輸入電阻來講,MOS管的輸入電阻很高, 通常在數(shù)兆歐姆到數(shù)百兆歐姆之間,而三極管的輸入電阻相對較低,通常在幾千歐姆到幾十萬歐姆之間;
4、從輸入電容來講,MOS管的輸出電容較小,通常在幾皮法到幾納法之間,而三極管的輸出電容較大,通常在幾十皮法到幾百皮法之間;
5、從開關(guān)速度來講,MOS管具有更快的開關(guān)速度和更小的開關(guān)損耗, 這使它們在高頻應(yīng)用中更為常見。三極管的開關(guān)速度較慢,但在低頻和功率應(yīng)用中具有優(yōu)勢;
6、從噪聲來講,MOS管的噪聲水平通常比三極管低;
7、從電壓容忍度來講,電壓容忍度: MOS管的電壓容忍度比三極管高;
8、從可靠性來講,可靠性: MOS管在高溫環(huán)境下具有較好的穩(wěn)定性,而三極管則在高溫環(huán)境下容易損壞。
在功率放大器電路中應(yīng)用的三極管和場效應(yīng)管(MOS管)因為其制造工藝不同,相同制造價格下,其擊DS極擊穿電壓普遍比三極管高,所以現(xiàn)在的功率放大器開關(guān)電源大部分都使用場效應(yīng)管做開關(guān)管。還有一類開關(guān)特性更好的器件IGBT,它結(jié)合了三極管和場效應(yīng)管的優(yōu)點,使用在更高的功率和更高的電壓下,比如電磁爐。

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