1. 反向擊穿電壓（Reverse Breakdown Voltage, VRWM）
反向擊穿電壓是指靜電二極管在反向工作時的最大電壓值。在這個電壓范圍內(nèi)，二極管不會導通，也不會出現(xiàn)擊穿。通常情況下，ESD二極管在設計時應選定一個適合的反向工作電壓，以保證正常的電路工作。例如，如果二極管的反向擊穿電壓為5V，那么該二極管就可以保護一個電壓不超過5V的電路。
選擇合適的反向擊穿電壓十分關(guān)鍵，若電壓過高，可能無法對電路提供有效保護；電壓過低，則會導致二極管過早導通，影響電路的正常工作。
2. 箝位電壓（Clamping Voltage, VC）
箝位電壓是ESD二極管在受到靜電沖擊時能夠限制的最大電壓。當靜電放電產(chǎn)生的電壓超過二極管的擊穿電壓時，ESD二極管會導通并將電壓限制在箝位電壓的范圍內(nèi)。箝位電壓通常比擊穿電壓高一些，具體值取決于靜電二極管的特性和設計。
箝位電壓是影響保護效果的關(guān)鍵參數(shù)。較低的箝位電壓可以更好地保護敏感元器件，但可能會對正常工作電壓產(chǎn)生干擾。合適的箝位電壓能在保護電路的同時，不影響電路的正常工作。
3. 結(jié)電容（Junction Capacitance, CJ）
結(jié)電容是ESD二極管的重要參數(shù)之一，尤其在高速信號應用中，它對信號完整性有著顯著的影響。結(jié)電容通常以皮法（pF）為單位表示，指的是二極管在反向偏置狀態(tài)下產(chǎn)生的電容效應。
對于高速數(shù)據(jù)傳輸接口（如USB 3.0、HDMI等），較高的結(jié)電容會導致信號失真或傳輸速率下降。因此，在這些應用中，選擇低結(jié)電容的靜電二極管尤為重要。一般來說，結(jié)電容在1pF以下的二極管適合高速信號保護，而對于低速信號，較高的結(jié)電容對電路的影響較小。
4. 峰值脈沖電流（Peak Pulse Current, IPP）
峰值脈沖電流指的是在特定的浪涌條件下，ESD二極管能夠承受的最大瞬時電流。這是衡量ESD二極管在靜電沖擊事件中能夠承受的最大電流能力的指標，通常以安培（A）為單位表示。
峰值脈沖電流越大，表示二極管在面對較強靜電放電或其他過電壓事件時具有更強的抗沖擊能力。對于靜電放電保護，通常選擇能夠承受至少10A以上的脈沖電流的靜電二極管，以確保其在較強的靜電事件中仍能有效保護電路。
5. 響應時間（Response Time）
響應時間是ESD二極管從靜電事件發(fā)生到開始工作所需的時間。它通常以納秒（ns）為單位表示。在靜電放電事件中，電壓的變化是非常迅速的，通常在納秒級的范圍內(nèi)，因此ESD二極管的響應時間也必須足夠快，才能在靜電放電對電路產(chǎn)生損害之前及時起到保護作用。
大多數(shù)靜電二極管的響應時間都在1ns以下，這足以應對絕大多數(shù)靜電放電事件。然而，對于一些高速或極其敏感的電路，響應時間可能需要更加快速，以確保系統(tǒng)的可靠性。
6. 最大功率耗散（Power Dissipation, PD）
最大功率耗散是指ESD二極管在浪涌事件中能夠承受的最大功率。它通常以瓦特（W）為單位表示，表示在二極管保護電路的過程中，能夠消耗的最大瞬時功率。該參數(shù)與峰值脈沖電流密切相關(guān)。
選擇時，必須確保二極管的最大功率耗散大于電路可能遭受的浪涌功率，否則二極管可能無法承受靜電沖擊而損壞，從而失去保護能力。
7. 漏電流（Leakage Current, IR）
漏電流是指ESD二極管在正常反向偏置工作狀態(tài)下的電流。較低的漏電流有助于減少電路中的功耗，尤其是在低功耗應用中，漏電流是一個關(guān)鍵參數(shù)。
對于低功耗設備，如可穿戴設備或電池供電的設備，選擇低漏電流的靜電二極管非常重要。通常，漏電流以微安（μA）為單位表示。
靜電二極管的主要參數(shù)直接影響其在電路保護中的效果。在實際選型過程中，反向擊穿電壓、箝位電壓、結(jié)電容、峰值脈沖電流、響應時間、最大功率耗散和漏電流等都是需要重點考慮的因素。
