二、整流橋的關(guān)鍵參數(shù)
反向峰值電壓（Peak Reverse Voltage, VRRM）
定義：指整流橋在斷態(tài)時(shí)能夠承受的最大反向電壓。
選型建議：應(yīng)選擇比實(shí)際電路中的最高電壓多30%-50%的VRRM裕量，以應(yīng)對(duì)突發(fā)電壓或電源波動(dòng)。
正向平均電流（Forward Average Current, IF(AV)）
定義：指整流橋在穩(wěn)態(tài)整流過(guò)程中能長(zhǎng)期承受的平均電流。
選型建議：應(yīng)確保IF(AV)值高于電路中的最大工作電流，并留有至少20%的裕量。
正向峰值浪涌電流（Peak Surge Current, IFSM）
定義：指整流橋能承受的瞬間大電流沖擊，如電源開(kāi)機(jī)或負(fù)載突然變化時(shí)的浪涌電流。
選型建議：應(yīng)根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的浪涌情況選擇足夠高的IFSM值，避免瞬間電流導(dǎo)致整流橋失效。
正向壓降（Forward Voltage Drop, VF）
定義：指二極管導(dǎo)通時(shí)的電壓降，對(duì)電源效率有直接影響。
選型建議：低VF的整流橋有助于降低功耗，提高轉(zhuǎn)換效率，但在某些高壓應(yīng)用中可適當(dāng)妥協(xié)。
恢復(fù)時(shí)間（Reverse Recovery Time, trr）
定義：指整流橋的二極管從導(dǎo)通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。
選型建議：在高頻開(kāi)關(guān)電路中，如開(kāi)關(guān)電源或逆變器，建議選擇trr較小的快恢復(fù)整流橋。
工作溫度范圍（Operating Temperature Range）
定義：整流橋能穩(wěn)定工作的溫度區(qū)間。
選型建議：應(yīng)根據(jù)實(shí)際環(huán)境溫度選擇寬溫度范圍的整流橋，并確保其溫度不會(huì)超過(guò)絕對(duì)最高溫度（Tj）。
三、整流橋的選擇原則
根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景選擇
低功率應(yīng)用：如手機(jī)充電器和LED驅(qū)動(dòng)電源，可選用小型、低成本的整流橋。
工業(yè)電源或家電：需考慮浪涌電流和高溫環(huán)境，建議選擇帶有散熱設(shè)計(jì)的整流橋。
高頻電路：如逆變器或開(kāi)關(guān)電源，推薦使用快恢復(fù)二極管或肖特基整流橋。
考慮效率和散熱
在高效率場(chǎng)景中，應(yīng)優(yōu)先選擇VF較低的整流橋，減少電能損耗。必要時(shí)配合散熱器或散熱風(fēng)扇，防止熱量積累。
留有裕量
對(duì)于關(guān)鍵參數(shù)如VRRM、IF(AV)、IFSM等，建議留有一定的安全裕量，確保電路在突發(fā)情況下依然能穩(wěn)定工作。
認(rèn)證與可靠性
在關(guān)鍵應(yīng)用中，如醫(yī)療設(shè)備或汽車(chē)電子，需要選擇符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（如UL、RoHS認(rèn)證）的產(chǎn)品，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
封裝形式選擇
不同封裝形式適用于不同的電路設(shè)計(jì)，例如插件封裝（DIP）適用于傳統(tǒng)電路板設(shè)計(jì)，而表貼封裝（SMD）則適用于輕薄設(shè)計(jì)。
MDD整流橋的參數(shù)選擇直接影響電路的性能與可靠性。在選型過(guò)程中，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景仔細(xì)考慮反向電壓、平均電流、浪涌電流、正向壓降和恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)。此外，合理的安全裕量和散熱設(shè)計(jì)也能進(jìn)一步提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
